Справочник по полупроводниковым приборам 2-е изд. Год выпуска: 2010 Язык: русский Автор: Москатов Е. А. Жанр: Справочник Издательство: Таганрог [email protected] Формат: PDF Качество: eBook (изначально компьютерное) Количество страниц: 219 Описание: Перед Вами справочник, в который сведены наиболее широко распространённые и наиболее часто используемые на территории России и СНГ полупроводниковые приборы. Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезен как подручный материал, в котором легко быстро найти нужную информацию. Справочник может быть весьма полезен инженерно-техническим работникам, радиолюбителям, техникам, студентам технических колледжей и ВУЗов во время выполнения курсовых и дипломной работ. Важной особенностью справочника является его бесплатность для некоммерческого использования – он распространяется по freeware лицензии. Сведения, содержащиеся в справочнике, относятся к разряду проверенных, достоверных материалов. Информация, представленная в справочнике, была многократно перепроверена. Однако, несмотря на это, полное отсутствие опечаток не гарантируется, хотя было сделано всё возможное для их исключения. В справочных данных, приведённых в литературе, часто параметры одной и той же детали имеют близкие, но не равные значения при одних и тех же условиях снятия показания. В этом случае я указывал те значения параметров, которые совпадали со значениями параметров, принятыми в наибольшем количестве литературы. В редких случаях некоторые характеристики деталей измерялись заново на макетах. Необходимо понимать, что различные заводы – изготовители производят под одной и той же маркой детали, параметры которых могут несколько различаться. Поэтому увидев в данном справочнике деталь, параметры которой незначительно отличаются от параметров той же детали в другом справочнике – не удивляйтесь. Так, например, транзисторы типа КТ315 имеют, согласно литературе [29, стр. 288] одни габаритные размеры, согласно [30, стр. 669] – другие, а в данных [44] указаны третьи. Реальные транзисторы, купленные мною в магазине, имели четвёртые габаритные размеры, совпадающие с приведёнными в федеральных технических условиях [27]. Приведённые в справочнике рисунки являются именно рисунками, а не чертежами, и предназначены только для лучшего понимания внешнего вида, цоколёвок и размеров полупроводниковых приборов. На написание первого издания данного справочника было затрачено шесть месяцев кропотливого труда, но значительно больше времени ушло на проверку содержащихся в нём данных. Надеюсь, что использование Вами справочника будет полезным и приятным. Автор – составитель, Евгений Анатольевич Москатов [email protected]
1.1 Основные стандарты на полупроводниковые приборы
Основные стандарты на полупроводниковые диоды ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения. ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые. ГОСТ 18472-82 Приборы полупроводниковые. Основные размеры. ГОСТ 19613-80 Столбы и блоки выпрямительные полупроводниковые. Основные размеры. ГОСТ 20859-79 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические условия. ГОСТ 20900-87 Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и присоединительные размеры. ГОСТ 25529-82 Приборы полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерения и испытаний. ГОСТ 18986.0-74 Приборы полупроводниковые. Методы измерения электрических параметров. Общие положения. ГОСТ 18986.1-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного тока. ГОСТ 18986.2-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения постоянного обратного напряжения. ГОСТ 18986.3-73 Приборы полупроводниковые. Методы измерения постоянного прямого напряжения и постоянного прямого тока. ГОСТ 18986.4-73 Приборы полупроводниковые. Методы измерения ёмкости. ГОСТ 18986.5-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения времени выключения. ГОСТ 18986.8-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения времени обратного восстановления. ГОСТ 18986.9-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения импульсного прямого напряжения. ГОСТ 18986.10-74 Приборы полупроводниковые. Методы измерения индуктивности. ГОСТ 18986.11-84 Приборы полупроводниковые. Метод измерения последовательного сопротивления потерь. ГОСТ 18986.12-74 Приборы полупроводниковые туннельные. Метод измерения отрицательной проводимости перехода. ГОСТ 18986.13-74 Приборы полупроводниковые туннельные. Метод 4 измерения пикового тока, тока впадины, пикового напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора. ГОСТ 18986.14-85 Приборы полупроводниковые. Методы измерения дифференциального и динамического сопротивления. ГОСТ 18986.15-75 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения напряжения стабилизации. ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы измерения среднего значения прямого напряжения и среднего значения обратного тока. ГОСТ 18986.17-76 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения температурного коэффициента напряжения стабилизации. ГОСТ 18986.18-76 Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента ёмкости. ГОСТ 18986.19-73 Варикапы. Метод измерения добротности. ГОСТ 18986.20-77 Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод измерения времени выхода на режим. ГОСТ 18986.21-78 Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод измерения временной нестабильности напряжения стабилизации. ГОСТ 19656.0-74 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения электрических параметров. Общие положения. ГОСТ 19656.1-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей волны. ГОСТ 19656.2-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения среднего выпрямленного тока. ГОСТ 19656.3-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения выходного сопротивления на промежуточной частоте. ГОСТ 19656.4-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы измерения потерь преобразования. ГОСТ 19656.5-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и детекторные. Метод измерения шумового отношения. ГОСТ 19656.6-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения нормированного коэффициента шума. ГОСТ 19656.7-74 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току. ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные и ограничительные. Методы измерения сопротивления потерь. ГОСТ 19656.12-76 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод измерения полного входного сопротивления. ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения тангенциальной чувствительности. ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения 5 теплового сопротивления переход-корпус и импульсного теплового сопротивления. ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при измерении параметров. ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы излучения и энергетической яркости. ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения относительного спектрального распределения энергии излучения и ширины спектра излучения. ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Методы измерения мощности излучения. ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие. Метод измерения временных параметров импульса излучения. ОСТ 11.336.919-81 Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений. ОСТ 11.336.907.0-81 Приборы полупроводниковые. Руководство по применению. Общие положения. ОСТ 11.336.907.1-81 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные. Руководство по применению. ОСТ 11.336.907.3-81 Стабилитроны. Руководство по применению. ОСТ 11.336.907.4-81 Диоды импульсные. Руководство по применению. ОСТ 11.336.907.5-81 Варикапы. Руководство по применению. ОСТ 11.336.907.6-81 Диоды выпрямительные, столбы высоковольтные. Руководство по применению. Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения. ОСТ 11 336.919-81 Приборы полупроводниковые. Система условных обозначений. ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах. Приборы полупроводниковые. ГОСТ 18472-82 Приборы полупроводниковые. Основные размеры. ОСТ 16 0.801.250-85 Приборы полупроводниковые силовые. Транзисторы. Габаритные и присоединительные размеры. ГОСТ 20003-74* Транзисторы биполярные. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. ГОСТ 19095-73* Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров. ГОСТ 18604.0-83 Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении электрических параметров. ГОСТ 18604.1-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения постоянной времени цепи обратной связи на высокой частоте. 6 ГОСТ 18604.2-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения статического коэффициента передачи тока. ГОСТ 18604.3-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения ёмкости коллекторного и эмиттерного переходов. ГОСТ 18604.4-74 Транзисторы. Методы измерения обратного тока коллектора. ГОСТ 18604.5-74 Транзисторы. Методы измерения обратного тока коллектора – эмиттера. ГОСТ 18604.6-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмиттера. ГОСТ 18604.7-74 Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи тока. ГОСТ 18604.8-74 Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости. ГОСТ 18604.9-82 Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и предельной частот коэффициента передачи тока. ГОСТ 18604.10-76 Транзисторы биполярные. Метод измерения входного сопротивления. ГОСТ18604.11-76 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента шума на высоких и сверхвысоких частотах. ГОСТ 18604.13-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента полезного действия коллектора. ГОСТ 18604.14-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод измерения модуля коэффициента обратной передачи напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте. ГОСТ 18604.15-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы измерения критического тока. ГОСТ 18604.16-78 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала. ГОСТ 18604.17-78 Транзисторы биполярные. Метод измерения плавающего напряжения эмиттер – база. ГОСТ 18604.18-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения статической крутизны прямой передачи. ГОСТ 18604.19-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения граничного напряжения. ГОСТ 18604.20-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента шума на низкой частоте. ГОСТ 18604.22-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения насыщения коллектор – эмиттер и база – эмиттер. ГОСТ 18604.23-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов комбинационных составляющих. ГОСТ 18604.24-81 Транзисторы биполярные высокочастотные генераторные. Метод измерения выходной мощности и определения коэффициента усиления по мощности и коэффициента 7 полезного действия коллектора. ГОСТ 18604.26-85 Транзисторы биполярные. Методы измерения временных параметров. ГОСТ 18604.27-86 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор – база (эмиттер – база) при нулевом токе эмиттера (коллектора). ОСТ 11 336.909.1-79 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы измерения граничного напряжения. ОСТ 11 336.909.3-79 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы измерения скорости нарастания обратного напряжения. ГОСТ 27264-87 Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений. ГОСТ 20398.0-83 Транзисторы полевые. Общие требования при измерении электрических параметров. ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной проводимости прямой передачи. ГОСТ 20398.2-74 Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента шума. ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики. ГОСТ 20398.4-74 Транзисторы полевые. Метод измерения активной составляющей выходной проводимости. ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной ёмкостей. ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора. ГОСТ 20398.7-74 Транзисторы полевые. Метод измерения порогового напряжения и напряжения отсечки. ГОСТ 20398.8-74 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока. ГОСТ 20398.9-80 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики в импульсном режиме. ГОСТ 20398.10-80 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока стока в импульсном режиме. ГОСТ 20398.11-80 Транзисторы полевые. Метод измерения ЭДС шума. ГОСТ 20398.12-80 Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока стока. ГОСТ 20398.13-80 Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток – исток. ОСТ 11 336.916-80 Транзисторы полевые. Метод измерения выходной мощности, определения коэффициента усиления по мощности, определения коэффициента полезного действия стока. ОСТ 11 336.907.0-79 Приборы полупроводниковые. Руководство по применению. Общие положения. 8 ОСТ 11 336.907.8-81 Транзисторы биполярные. Руководство по применению. ОСТ 11 336.935-82 Транзисторы полевые. Руководство по применению. ОСТ 11 ПО.336.001 Приборы полупроводниковые бескорпусные. Руководство по применению. Основные стандарты на микросхемы ОСТ 11 073.073-82 Приборы полупроводниковые и микросхемы. Метод контроля температуры полупроводниковых структур. ОСТИ 073.062-76 Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые. Требования и методы защиты от статического электричества в условиях производства и применения.
Оглавление
1 Введение 3 1.1 Основные стандарты на полупроводниковые приборы 4 1.2 Классификация диодов 10 1.3 Классификация транзисторов 15 1.4 Классификация микросхем 17 2 Список принятых сокращений 27 3 Диоды 36 3.1 Диоды выпрямительные 36 3.2 Диодные сборки 47 3.3 Светодиоды 50 3.4 Семисегментные индикаторы 67 3.5 Оптроны 70 3.6 Стабилитроны 75 3.7 Варикапы 79 3.8 Туннельные диоды 81 3.9 Фотографии диодной сборки, диодов, стабилитрона, светодиода, оптрона 83 4 Тиристоры 84 4.1 Тиристоры импульсные 84 4.2 Диодные тиристоры 95 4.3 Оптотиристоры 96 4.4 Фотографии разных тиристоров 97 5 Транзисторы 98 5.1 Биполярные транзисторы 98 5.2 Однопереходные транзисторы 137 5.3 Двухэмиттерные транзисторы 138 5.4 Фототранзисторы 140 5.5 Полевые транзисторы 141 5.6 Рисунки цоколёвок транзисторов 151 5.7 Фотографии разных транзисторов 167 6 Интегральные микросхемы 168 6.1 Микросхемные стабилизаторы напряжения 168 6.2 Операционные усилители 173 6.3 Микросхемы серии К174 175 6.4 Цифровые микросхемы 186 6.5 Рисунки цоколёвок микросхем 190 6.6 Фотографии разных микросхем 192 7 Номера ТУ некоторых приборов 193 Приложения 204 Приложение №1. Расшифровка кодов некоторых тиристоров, транзисторов и ИМС стабилизаторов 204 Приложение №2. Расшифровка кодов некоторых диодов 208 Литература 216 Оглавление 219
4.9
Е. А. Москатов - Reference_book_about_semiconductor_details_2.pdf
Вы не можете начинать темы Вы не можете отвечать на сообщения Вы не можете редактировать свои сообщения Вы не можете удалять свои сообщения Вы не можете голосовать в опросах Вы не можете прикреплять файлы к сообщениям Вы не можете скачивать файлы
Язык: русский
Автор: Москатов Е. А.
Жанр: Справочник
Издательство: Таганрог [email protected]
Формат: PDF
Качество: eBook (изначально компьютерное)
Количество страниц: 219
Описание: Перед Вами справочник, в который сведены наиболее широко распространённые и
наиболее часто используемые на территории России и СНГ полупроводниковые
приборы. Он не претендует на всеобъемлющее изложение информации, но полезен
как подручный материал, в котором легко быстро найти нужную информацию.
Справочник может быть весьма полезен инженерно-техническим работникам,
радиолюбителям, техникам, студентам технических колледжей и ВУЗов во время
выполнения курсовых и дипломной работ. Важной особенностью справочника
является его бесплатность для некоммерческого использования – он
распространяется по freeware лицензии. Сведения, содержащиеся в справочнике,
относятся к разряду проверенных, достоверных материалов. Информация,
представленная в справочнике, была многократно перепроверена. Однако, несмотря
на это, полное отсутствие опечаток не гарантируется, хотя было сделано всё
возможное для их исключения. В справочных данных, приведённых в литературе,
часто параметры одной и той же детали имеют близкие, но не равные значения при
одних и тех же условиях снятия показания. В этом случае я указывал те значения
параметров, которые совпадали со значениями параметров, принятыми в
наибольшем количестве литературы. В редких случаях некоторые характеристики
деталей измерялись заново на макетах. Необходимо понимать, что различные
заводы – изготовители производят под одной и той же маркой детали, параметры
которых могут несколько различаться. Поэтому увидев в данном справочнике
деталь, параметры которой незначительно отличаются от параметров той же детали
в другом справочнике – не удивляйтесь. Так, например, транзисторы типа КТ315
имеют, согласно литературе [29, стр. 288] одни габаритные размеры, согласно [30,
стр. 669] – другие, а в данных [44] указаны третьи. Реальные транзисторы,
купленные мною в магазине, имели четвёртые габаритные размеры, совпадающие с
приведёнными в федеральных технических условиях [27].
Приведённые в справочнике рисунки являются именно рисунками, а не чертежами,
и предназначены только для лучшего понимания внешнего вида, цоколёвок и
размеров полупроводниковых приборов.
На написание первого издания данного справочника было затрачено шесть месяцев
кропотливого труда, но значительно больше времени ушло на проверку
содержащихся в нём данных. Надеюсь, что использование Вами справочника будет
полезным и приятным.
Автор – составитель, Евгений Анатольевич Москатов
[email protected]
1.1 Основные стандарты на полупроводниковые приборы
Основные стандарты на полупроводниковые диодыГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения.
ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах.
Приборы полупроводниковые.
ГОСТ 18472-82 Приборы полупроводниковые. Основные размеры.
ГОСТ 19613-80 Столбы и блоки выпрямительные полупроводниковые.
Основные размеры.
ГОСТ 20859-79 Приборы полупроводниковые силовые. Общие технические
условия.
ГОСТ 20900-87 Приборы полупроводниковые силовые. Габаритные и
присоединительные размеры.
ГОСТ 25529-82 Приборы полупроводниковые. Термины, определения и
буквенные обозначения параметров.
ГОСТ 24461-80 Приборы полупроводниковые силовые. Методы измерения
и испытаний.
ГОСТ 18986.0-74 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
электрических параметров. Общие положения.
ГОСТ 18986.1-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
постоянного обратного тока.
ГОСТ 18986.2-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
постоянного обратного напряжения.
ГОСТ 18986.3-73 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
постоянного прямого напряжения и постоянного прямого
тока.
ГОСТ 18986.4-73 Приборы полупроводниковые. Методы измерения ёмкости.
ГОСТ 18986.5-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения времени
выключения.
ГОСТ 18986.8-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения времени
обратного восстановления.
ГОСТ 18986.9-73 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
импульсного прямого напряжения.
ГОСТ 18986.10-74 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
индуктивности.
ГОСТ 18986.11-84 Приборы полупроводниковые. Метод измерения
последовательного сопротивления потерь.
ГОСТ 18986.12-74 Приборы полупроводниковые туннельные. Метод
измерения отрицательной проводимости перехода.
ГОСТ 18986.13-74 Приборы полупроводниковые туннельные. Метод
4
измерения пикового тока, тока впадины, пикового
напряжения, напряжения впадины, напряжения раствора.
ГОСТ 18986.14-85 Приборы полупроводниковые. Методы измерения
дифференциального и динамического сопротивления.
ГОСТ 18986.15-75 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения
напряжения стабилизации.
ГОСТ 18986.16-72 Диоды полупроводниковые выпрямительные. Методы
измерения среднего значения прямого напряжения и
среднего значения обратного тока.
ГОСТ 18986.17-76 Стабилитроны полупроводниковые. Метод измерения
температурного коэффициента напряжения стабилизации.
ГОСТ 18986.18-76 Варикапы. Метод измерения температурного коэффициента
ёмкости.
ГОСТ 18986.19-73 Варикапы. Метод измерения добротности.
ГОСТ 18986.20-77 Стабилитроны полупроводниковые прецизионные. Метод
измерения времени выхода на режим.
ГОСТ 18986.21-78 Стабилитроны и стабисторы полупроводниковые. Метод
измерения временной нестабильности напряжения
стабилизации.
ГОСТ 19656.0-74 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения
электрических параметров. Общие положения.
ГОСТ 19656.1-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и
детекторные. Метод измерения коэффициента стоячей
волны.
ГОСТ 19656.2-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод
измерения среднего выпрямленного тока.
ГОСТ 19656.3-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы
измерения выходного сопротивления на промежуточной
частоте.
ГОСТ 19656.4-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Методы
измерения потерь преобразования.
ГОСТ 19656.5-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные и
детекторные. Метод измерения шумового отношения.
ГОСТ 19656.6-74 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод
измерения нормированного коэффициента шума.
ГОСТ 19656.7-74 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод
измерения чувствительности по току.
ГОСТ 19656.10-88 Диоды полупроводниковые СВЧ переключательные и
ограничительные. Методы измерения сопротивления потерь.
ГОСТ 19656.12-76 Диоды полупроводниковые СВЧ смесительные. Метод
измерения полного входного сопротивления.
ГОСТ 19656.13-76 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод
измерения тангенциальной чувствительности.
ГОСТ 19656.15-84 Диоды полупроводниковые СВЧ. Методы измерения
5
теплового сопротивления переход-корпус и импульсного
теплового сопротивления.
ГОСТ 19834.0-75 Излучатели полупроводниковые. Общие требования при
измерении параметров.
ГОСТ 19834.2-74 Излучатели полупроводниковые. Методы измерения силы
излучения и энергетической яркости.
ГОСТ 19834.3-76 Излучатели полупроводниковые. Метод измерения
относительного спектрального распределения энергии
излучения и ширины спектра излучения.
ГОСТ 19834.4-79 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие.
Методы измерения мощности излучения.
ГОСТ 19834.5-80 Диоды полупроводниковые инфракрасные излучающие.
Метод измерения временных параметров импульса
излучения.
ОСТ 11.336.919-81 Приборы полупроводниковые. Система условных
обозначений.
ОСТ 11.336.907.0-81 Приборы полупроводниковые. Руководство по применению.
Общие положения.
ОСТ 11.336.907.1-81 Приборы полупроводниковые оптоэлектронные.
Руководство по применению.
ОСТ 11.336.907.3-81 Стабилитроны. Руководство по применению.
ОСТ 11.336.907.4-81 Диоды импульсные. Руководство по применению.
ОСТ 11.336.907.5-81 Варикапы. Руководство по применению.
ОСТ 11.336.907.6-81 Диоды выпрямительные, столбы высоковольтные.
Руководство по применению.
Основные стандарты на биполярные и полевые транзисторы
ГОСТ 15133-77 Приборы полупроводниковые. Термины и определения.
ОСТ 11 336.919-81 Приборы полупроводниковые. Система условных
обозначений.
ГОСТ 2.730-73 ЕСКД. Обозначения условные графические в схемах.
Приборы полупроводниковые.
ГОСТ 18472-82 Приборы полупроводниковые. Основные размеры.
ОСТ 16 0.801.250-85 Приборы полупроводниковые силовые. Транзисторы.
Габаритные и присоединительные размеры.
ГОСТ 20003-74* Транзисторы биполярные. Термины, определения и
буквенные обозначения параметров.
ГОСТ 19095-73* Транзисторы полевые. Термины, определения и буквенные
обозначения параметров.
ГОСТ 18604.0-83 Транзисторы биполярные. Общие требования при измерении
электрических параметров.
ГОСТ 18604.1-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения постоянной
времени цепи обратной связи на высокой частоте.
6
ГОСТ 18604.2-80 Транзисторы биполярные. Методы измерения статического
коэффициента передачи тока.
ГОСТ 18604.3-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения ёмкости
коллекторного и эмиттерного переходов.
ГОСТ 18604.4-74 Транзисторы. Методы измерения обратного тока
коллектора.
ГОСТ 18604.5-74 Транзисторы. Методы измерения обратного тока коллектора
– эмиттера.
ГОСТ 18604.6-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока эмиттера.
ГОСТ 18604.7-74 Транзисторы. Метод измерения коэффициента передачи
тока.
ГОСТ 18604.8-74 Транзисторы. Метод измерения выходной проводимости.
ГОСТ 18604.9-82 Транзисторы биполярные. Методы определения граничной и
предельной частот коэффициента передачи тока.
ГОСТ 18604.10-76 Транзисторы биполярные. Метод измерения входного
сопротивления.
ГОСТ18604.11-76 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента
шума на высоких и сверхвысоких частотах.
ГОСТ 18604.13-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод
измерения выходной мощности и определения
коэффициента усиления по мощности и коэффициента
полезного действия коллектора.
ГОСТ 18604.14-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Метод
измерения модуля коэффициента обратной передачи
напряжения в схеме с общей базой на высокой частоте.
ГОСТ 18604.15-77 Транзисторы биполярные СВЧ генераторные. Методы
измерения критического тока.
ГОСТ 18604.16-78 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициента
обратной связи по напряжению в режиме малого сигнала.
ГОСТ 18604.17-78 Транзисторы биполярные. Метод измерения плавающего
напряжения эмиттер – база.
ГОСТ 18604.18-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения статической
крутизны прямой передачи.
ГОСТ 18604.19-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения граничного
напряжения.
ГОСТ 18604.20-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения коэффициента
шума на низкой частоте.
ГОСТ 18604.22-78 Транзисторы биполярные. Методы измерения напряжения
насыщения коллектор – эмиттер и база – эмиттер.
ГОСТ 18604.23-80 Транзисторы биполярные. Метод измерения коэффициентов
комбинационных составляющих.
ГОСТ 18604.24-81 Транзисторы биполярные высокочастотные генераторные.
Метод измерения выходной мощности и определения
коэффициента усиления по мощности и коэффициента
7
полезного действия коллектора.
ГОСТ 18604.26-85 Транзисторы биполярные. Методы измерения временных
параметров.
ГОСТ 18604.27-86 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод
измерения пробивного напряжения коллектор – база
(эмиттер – база) при нулевом токе эмиттера (коллектора).
ОСТ 11 336.909.1-79 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы
измерения граничного напряжения.
ОСТ 11 336.909.3-79 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Методы
измерения скорости нарастания обратного напряжения.
ГОСТ 27264-87 Транзисторы силовые биполярные. Методы измерений.
ГОСТ 20398.0-83 Транзисторы полевые. Общие требования при измерении
электрических параметров.
ГОСТ 20398.1-74 Транзисторы полевые. Метод измерения модуля полной
проводимости прямой передачи.
ГОСТ 20398.2-74 Транзисторы полевые. Метод измерения коэффициента
шума.
ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны
характеристики.
ГОСТ 20398.4-74 Транзисторы полевые. Метод измерения активной
составляющей выходной проводимости.
ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной,
проходной и выходной ёмкостей.
ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки
затвора.
ГОСТ 20398.7-74 Транзисторы полевые. Метод измерения порогового
напряжения и напряжения отсечки.
ГОСТ 20398.8-74 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока
стока.
ГОСТ 20398.9-80 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны
характеристики в импульсном режиме.
ГОСТ 20398.10-80 Транзисторы полевые. Метод измерения начального тока
стока в импульсном режиме.
ГОСТ 20398.11-80 Транзисторы полевые. Метод измерения ЭДС шума.
ГОСТ 20398.12-80 Транзисторы полевые. Метод измерения остаточного тока
стока.
ГОСТ 20398.13-80 Транзисторы полевые. Метод измерения сопротивления сток
– исток.
ОСТ 11 336.916-80 Транзисторы полевые. Метод измерения выходной
мощности, определения коэффициента усиления по
мощности, определения коэффициента полезного действия
стока.
ОСТ 11 336.907.0-79 Приборы полупроводниковые. Руководство по применению.
Общие положения.
8
ОСТ 11 336.907.8-81 Транзисторы биполярные. Руководство по применению.
ОСТ 11 336.935-82 Транзисторы полевые. Руководство по применению.
ОСТ 11 ПО.336.001 Приборы полупроводниковые бескорпусные. Руководство
по применению.
Основные стандарты на микросхемы
ОСТ 11 073.073-82 Приборы полупроводниковые и микросхемы. Метод
контроля температуры полупроводниковых структур.
ОСТИ 073.062-76 Микросхемы интегральные и приборы полупроводниковые.
Требования и методы защиты от статического электричества
в условиях производства и применения.
Оглавление
1 Введение 31.1 Основные стандарты на полупроводниковые приборы 4
1.2 Классификация диодов 10
1.3 Классификация транзисторов 15
1.4 Классификация микросхем 17
2 Список принятых сокращений 27
3 Диоды 36
3.1 Диоды выпрямительные 36
3.2 Диодные сборки 47
3.3 Светодиоды 50
3.4 Семисегментные индикаторы 67
3.5 Оптроны 70
3.6 Стабилитроны 75
3.7 Варикапы 79
3.8 Туннельные диоды 81
3.9 Фотографии диодной сборки, диодов, стабилитрона,
светодиода, оптрона 83
4 Тиристоры 84
4.1 Тиристоры импульсные 84
4.2 Диодные тиристоры 95
4.3 Оптотиристоры 96
4.4 Фотографии разных тиристоров 97
5 Транзисторы 98
5.1 Биполярные транзисторы 98
5.2 Однопереходные транзисторы 137
5.3 Двухэмиттерные транзисторы 138
5.4 Фототранзисторы 140
5.5 Полевые транзисторы 141
5.6 Рисунки цоколёвок транзисторов 151
5.7 Фотографии разных транзисторов 167
6 Интегральные микросхемы 168
6.1 Микросхемные стабилизаторы напряжения 168
6.2 Операционные усилители 173
6.3 Микросхемы серии К174 175
6.4 Цифровые микросхемы 186
6.5 Рисунки цоколёвок микросхем 190
6.6 Фотографии разных микросхем 192
7 Номера ТУ некоторых приборов 193
Приложения 204
Приложение №1. Расшифровка кодов некоторых тиристоров,
транзисторов и ИМС стабилизаторов 204
Приложение №2. Расшифровка кодов некоторых диодов 208
Литература 216
Оглавление 219
Е. А. Москатов - Reference_book_about_semiconductor_details_2.pdf
Скачать [3 KB]
Поделиться